大家好,今天小编关注到一个比较有意思的话题,就是关于韩国大学的校庆外人可以看吗的问题,于是小编就整理了3个相关介绍韩国大学的校庆外人可以看吗的解答,让我们一起看看吧。
韩国明星为什么都参加校庆?
韩国的歌手一般都是十代的,想证明自己红不红就得看在学生那里的知名度高不高,所以会去参加一些校庆积累人气,或者有的是因为是那个idol所在的学校举行的,所以会去
自主招生面试一般会考些什么内容?
一般是与生活结合密切,具有一定的开放性问题。能够反应学生知识面和应变能力,团结协作能力的问题。比如,前几年试题:雾霾的行程,你对治理雾霾有什么建议?现在问与量子通讯有关问题,还有一些前沿科学的了解……
中国芯片如何赶上世界先进水平?
我觉得不能和别人比科技研发速度,本身我们就是追赶的,但是我们可以比成长速度,比质量!扎扎实实地做好功课,突围的可能性就是人有我优;这个优不一定是工艺制程上到1nm工艺的事情,更多是和同级别的7nm、5nm芯片对比,我可以做得更好!虽然可能到了1NM上市的时候,中国继续主流还是7nm或者5nm;但是核心的问题就是这些芯片拿在一些应用场景够用就可以。虽然1NM是增加了芯片的运算速度的先天条件!
近日,ASML公司光刻机的研发再传捷报。ASML现在主力出货的EUV光刻机分别是NXE:3400B和3400C,预计今年年底前,NXE:3600D将开始交付,三星和台积电的3nm工艺制程将会主要使用这款光刻机。在3600D之后,ASML规划的三代光刻机分别是NEXT、EXE:5000和EXE:5200,第三代光刻机的交货时间预计在2022年以后了,大规模商业的时间甚至要到2025年前后了。但值得注意的是第三代光刻机将用在2nm工艺制程上,甚至是1nm。
但是我们也知道在今年5nm的工艺当中,无论是苹果的A14处理器、华为麒麟9000处理器、高通骁***88处理器都有一定的程度翻车现象,例如功耗控制和发热控制的问题!所以你看天玑系列是用的6nm工艺,而后来高通发布的骁***70是7nm工艺;说明同一个时期,虽然骁***70和骁***88有点差别,但是差别不会那么大,说明如今的技术下制程工艺和处理器速度不会拉开太大的距离!
那么如何在制程工艺进步缓慢的情况下,在处理性能和速度上以及对于芯片的稳定发挥上下功夫。同时在适配相同的设备的时候,都能很好地运行,可以稍逊一筹,但是不能没有任何的竞争优势,这就是我对于中国芯片的期望值!
1nm制程芯片还是预想阶段。1nm栅极漏电特性能不能解决,离子注入工艺能不能跟上?光刻的衍射极限能不能克服都是未知。亚微微米级真是硅基芯片的瓶颈。
而中国高制程芯片应该向薄膜芯片进军,薄膜芯片使得立体芯片成为可能。
硅芯片已经快走到尽头,到1nm也就10个原子大小,就会出现不稳定,所以台积电三星都会卡在3nm,我们中芯国际用duv也能做到7nm,在接下去就要换赛道了,比如量子计算机,光子计算机,碳纳米管芯片,这些方面我们都是领先的,就像在传统燃油车我们无法超越德国日本,但是换了电动车赛道,一下子就超过去了
芯片不可能发展到1nm。因为硅原子直径只有0.24nm,在1nm的情况下,电子隧道效应将使得硅不再呈现半导体性质,无法制作成为集成电路芯片使用。
关于光刻技术与光刻机、以及中国应该如何办,2021年3月26日西安电子科技大学广州研究院90周年西电校庆专题报告会上,我将有一个简单的专题发言谈谈自己的看法,西电广研院已发布宣传广告。若有机会,欢迎到场互动;如果无法到场,也没关系,会后,我将在《今日头条》上就光刻技术与光刻机问题办一个更简单一些的连续科普讲座。欢迎关注。
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