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中国芯片如何赶上世界先进水平？
芯片不可能发展到1nm。因为硅原子直径只有0.24nm，在1nm的情况下，电子隧道效应将使得硅不再呈现半导体性质，无法制作成为集成电路芯片使用。
关于光刻技术与光刻机、以及中国应该如何办，2021年3月26日西安电子科技大学广州研究院90周年西电校庆专题报告会上，我将有一个简单的专题发言谈谈自己的看法，西电广研院已发布宣传广告。若有机会，欢迎到场互动；如果无法到场，也没关系，会后，我将在《今日头条》上就光刻技术与光刻机问题办一个更简单一些的连续科普讲座。欢迎关注。
我觉得不能和别人比科技研发速度，本身我们就是追赶的，但是我们可以比成长速度，比质量！扎扎实实地做好功课，突围的可能性就是人有我优；这个优不一定是工艺制程上到1nm工艺的事情，更多是和同级别的7nm、5nm芯片对比，我可以做得更好！虽然可能到了1NM上市的时候，中国继续主流还是7nm或者5nm；但是核心的问题就是这些芯片拿在一些应用场景够用就可以。虽然1NM是增加了芯片的运算速度的先天条件！
近日，ASML公司光刻机的研发再传捷报。ASML现在主力出货的EUV光刻机分别是NXE：3400B和3400C，预计今年年底前，NXE：3600D将开始交付，三星和台积电的3nm工艺制程将会主要使用这款光刻机。在3600D之后，ASML规划的三代光刻机分别是NEXT、EXE：5000和EXE:5200，第三代光刻机的交货时间预计在2022年以后了，大规模商业的时间甚至要到2025年前后了。但值得注意的是第三代光刻机将用在2nm工艺制程上，甚至是1nm。
但是我们也知道在今年5nm的工艺当中，无论是苹果的A14处理器、华为麒麟9000处理器、高通骁***88处理器都有一定的程度翻车现象，例如功耗控制和发热控制的问题！所以你看天玑系列是用的6nm工艺，而后来高通发布的骁***70是7nm工艺；说明同一个时期，虽然骁***70和骁***88有点差别，但是差别不会那么大，说明如今的技术下制程工艺和处理器速度不会拉开太大的距离！
那么如何在制程工艺进步缓慢的情况下，在处理性能和速度上以及对于芯片的稳定发挥上下功夫。同时在适配相同的设备的时候，都能很好地运行，可以稍逊一筹，但是不能没有任何的竞争优势，这就是我对于中国芯片的期望值！
目前阶段不太可能，虽然我特希望中国的科技行业早日领先世界，但现实不能脱离，饭要一口一口吃，尤其是我们现在的基础材料和基础软件问题，才是最严重的，一旦软件和材料人家卡了脖子，那才是最要命的，所以现在科技之路任重道远，我们确实太缺少数学家，物理学家了，联想到我们的教育问题该怎么培养数学天才，物理天才呢？这可能是深一步的问题。返回中芯国际，我个人认为中国最起码要再做一个芯片制造公司，尤其是瞄准国产供应链，国家控股不上市，保证国家安全。实际上我不太喜欢中芯国际，主要有以下几点:1.本次涨价，其实涨价无可厚非，也是正常的，但它除了现在已经在生产线上的外，对已经签订的合同全部涨价，这是否违反合同法？而且不管人家为此合同付了多少钱，只要没生产就涨价，严重的违法合同法，典型的资本家也没有几家吧，现在是卖方市场，但如此作为会给商家及世界留下什么印象呢？2.卡脖子，以及高端光刻机没有办法得到，直接导致了中芯国际在芯片制造领域始终是一个二流甚至三流。3.随着中国芯片制造供应商的崛起，尤其是国产光刻机或者碳基芯片突破后，国家势必要再造一家国家绝对控股的公司，国家的根本大计怎么能掌握在资本手里呢？所以当中国科技崛起时，中芯国际在国内也不会是最好的。
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