大家好,今天小编关注到一个比较有意思的话题,就是关于清华大学校庆着火的问题,于是小编就整理了2个相关介绍清华大学校庆着火的解答,让我们一起看看吧。
电动汽车自燃谁之过?
如果是因车辆自身设计缺陷导致的自燃***,毫无疑问是车企的锅,例如蔚来ES8因设计缺陷2个月内自燃4次,从而召回已售的4803台蔚来ES8,这锅必然是厂家背,当然还有北汽威旺也因设计缺陷,召回1389辆威旺407 EV系列车型也是同样的道理。
其次,纯电动汽车的电池管理系统及电池包异常重要,当车辆发生碰撞或电池包发生剐蹭撞击时,如何能保证电池不自燃、电线不短路就变得异常重要了,这些安全性问题都i应该是车企去考虑的,并且在车辆上市前应该做大量的实验,当然如果出现人为原因导致车辆自燃等问题,具体责任的话得视情况而定了,例如,有些车主不按规范使用车辆,飞线充电或车内存放易燃易爆的物体导致自燃等等,所以此时自燃原因就很重要了。
首先这些肯定是生产厂家的“锅”
电动汽车自燃事故从2019年以来引起了高度重视,在中国特斯拉Model S和蔚来的几起自燃事故当中,凸显了电动车技术虽然没有发动机变速箱,但是电池安全性的要求并没有那么低,随着汽车使用过程当中问题逐渐爆出,这些都是考验电动汽车厂家技术能力,是真个汽车行业去泡沫化的进程。
说白了,作为第一批购买电动汽车的人,这种汽车的优点和缺点都是需要车主去承担,汽车自燃排除非产品自身的因素来说,归根结底还是厂家的技术问题,诸如锂枝晶在直流电快充生长过快可能将电池正负极之间SEI隔膜刺穿而引发短路,自燃的问题,整车厂难以处理,也是当下电池生产行业的技术难关。
那么在解决问题上,厂家应公开透明,电动汽车电池的浅充浅放更有利于保持电池的寿命,使用不当造成的电池衰减,应该在售卖时就告知车主,而Model S的做法是用电池的逐渐衰减来掩饰将部分电池的容量限制在原来的90%容量的目的。影响了消费者的体验。
只有真正解决了技术问题才能使得电动汽车持续发展下去,国家的补贴退坡就是把新能源汽车推向市场,技术不足,滥竽充数的逐渐被市场淘汰,这样有利于新能源汽车的优胜劣汰,回归价值。更利于消费者使用。
希望我的回答能够帮到你。
谢谢邀请,如题电动汽车自燃在相关新闻报道中有点“火”,从这些自燃事故的报道中,我整理了一些自燃发生的原因:
一、剧烈碰撞,车辆行驶时发生碰撞,碰撞引发电路短路引起的自燃。
二、电子元件,大家都知道,现在汽车的控制越来越智能化,那么相应的电子控制元件相应增加,元件的质量问题不仅在电动汽车上引起自燃,在燃油车上同理。
三、散热系统、汽车行驶时会产生热量,散热系统不好,会导致局部温度过高引发自燃。
四、电池短路,大家都知道电磁组正负极短路会产生高温和火花,现在由于停车难很多车辆都停放在室外或者涉水行驶,有的车辆电池组密封欠佳防水不是太好,潮湿渗水引起电池组短路发生自燃。
五、充电时发生短路,由于充电桩输出的频率和电压电流与车辆不匹配,或者充电桩电压电流不稳定等因素造成电池充电过程中温度瞬间升高着火。
六、车辆老化,车辆使用年限的增加,那些车内线路的老化形成裂纹或者漏电短路。
七、长时间放置在外部环境的车辆,车内放置的物品自燃比如火机、香水、前档上矿泉水、灭蚊剂等。
总结:从这些发生自燃的因素不难看出,造成自燃人为和车辆质量都有发生,为了财产和人员的安全,在使用和保养中多注意观察,及时处理自燃的隐患点。同时车辆制造商应提高车辆相关易燃因素方面的质量,毕竟质量才是销售的保障。
“神兽”光刻机之战,大胆猜测哪一家中国公司能够解光刻机之围?
如果说自主技术,其实我国的光刻机还停留在上海微电子(SMEE)的90nm水平,而事实上它却代表着国内最先进的光刻机水准。而光刻机巨头ASML目前的水平是7nm EUV,事实上它也正朝着更先进的极紫外光刻机5nm工艺水平迈进了。国内外水平差距明显。
--图源上海微电子***
光刻机是半导体芯片制造业中的最核心设备,是芯片制造过程中的重要组成部分,可以说光刻机直接决定了芯片的质量。同时它也代表着高端半导体装备制造水平和支撑着集成电路产业朝前发展。
不过目前而言,荷兰ASML垄断了高端光刻机市场份额,日本尼康和佳能处于中端但同时竞争中低端市场。而上海微电子只有低端光刻机市场,至于28nm,14nm和7nm水平,其实距离还是比较遥远。
光刻机涉及的技术非常复杂,需要很多顶级企业合作来完成,荷兰ASML也并非是一己之力,而是和英特尔、台积电、三星、海思等众多芯片巨头来通力合作。我国制造高端光刻机有各种阻滞问题,一方面因素就源于咱没有实力单独生产这些高端零部件,这也是我国光刻机长期停滞90mm的原因。
其次,光刻机最难的是紫外激光光源。需要经过光束矫正器、能量控制器、光束形状设置、遮光器等造成频率稳定、能量均匀的光源。还有透镜模组,要保证光通过物镜不变形,这都是极其复杂的系统工程。这些无疑给生产和制造带来巨大的阻力。
再者,光刻机对准系统需要具有近乎完美的精密机械工艺。涉及系统集成、精密光学、精密运动、精密物料传输、高精度微环境控制等多项先进技术。
光刻机集人类智慧于大成,一台顶级光刻机的关键零部件来自不同的西方国家,德国的镜头、美国的光栅、瑞典的轴承、法国的阀件等等,最麻烦的这些顶级的零件对我国是禁运的。可以说我国的光刻机与荷兰ASML光刻机的差距,客观上反映了我国与西方在精密制造领域的差距。
我国的光刻机起步较晚,同时还遭遇了西方国家的技术封锁,所以目前制造出来的光刻机主要集中于65nm及其以下的工艺。
目前,我国生产光刻机的企业是上海微电子,成立于2002年,可以量产制程工艺为65nm的光刻机,距离ASML的7nm EUV光刻机还有很远的距离,而且光刻机技术无法实现跳跃。
上海微电子也是一家系统集成商,自己并不生产关键零部件,做不出高端光刻机也不是它的责任。现在也只能做好中低端光刻机,慢慢培养国内的零部件商,一点一点往上做。
目前,光刻机的老大是荷兰的ASML,垄断了高达80%的市场份额,最先进的EUV光刻机全球也只有ASML能够生产。
AMSL光刻机90%的零部件向外***购,整个设备的不同部位同时获得了世界商最先进的技术,德国的光学设备、美国的计量设备和光源,ASML要做的是精密控制。7nm EUV光刻机有13个系统,3万个分件,每个动作都要精细,将误差分散到这13个系统中。
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